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CASE

    多晶硅清洗工艺流程_百度文库

    多晶硅的清洗工艺流程包括多个步骤,具体如下:. 1.去除表面Biblioteka Baidu着物:使用碱性或酸性溶液来去除多晶硅表面的有机和无机附着物。. 2.去除表面缺陷:使用化学溶液

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    多晶硅的去除方法_百度文库

    以下是几种常见的多晶硅去除方法: 1.酸洗:多晶硅可以通过酸洗的方式去除表面的杂质和缺陷。常用的酸洗溶液有浓硝酸、浓氢氟酸和浓盐酸等。这种方法可以有效地去除多晶硅表

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    多晶硅石墨的正确清洗方法-抖音

    2024年3月16日  如果石磨块表面有顽固的污垢,可以使用超声波清洗机进行清洗。二、干燥。将清洗后的石磨块放入干燥箱中, 在一百到一百二十度的温度下进行干燥,以去除表

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    一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置_百度文库

    2013年5月1日  一种去除多晶硅中金属杂质的方法,包括如下步骤:(1)将原料硅在石墨坩埚中熔化;(2)将石墨板放置于熔融硅液的表面上,石墨板与外界直流电压的负极相

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    如何去除石墨表面的多晶硅

    多晶硅铸锭的退火降温和硅锭处理 北极 而在硅锭的顶面,常常会有脱落的氮化硅涂层,而且在整个铸锭过程中,由于石墨 截断后的硅方再进行研磨倒角,目的是去除硅方表面 在开方时

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    透视多晶硅:一文深入揭秘多晶硅及其生产工艺 - 知乎

    2023年5月12日  多晶硅掺杂的方法有扩散法、离子注入法和原位掺杂法 三种 。 扩散掺杂包括在未掺杂的多晶硅上沉积非常重掺杂的硅玻璃。 这种玻璃将用作多晶硅的掺杂剂来源。 掺杂扩散发生在高温下,即 900-1000 摄

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    多晶硅表面金属杂质的清除 - 百度学术

    1996年8月12日  提出了从块状或颗粒状多晶硅的表面除去金属杂质的方法.把金属杂质和多晶硅暴露于气相卤素腐蚀剂中,使气相卤素腐蚀剂与暴露的金属杂质反应形成金属卤化物.气

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    石墨材料在多晶硅生产中的应用——降低碳含量,提高多晶硅品质

    多晶硅产能扩张的今天,提升多晶硅产品质量是提高市场竞争能力的重要途径.本文主要针对多晶硅生产中使用的石墨件可能给多晶硅带来的碳污染进行了阐述.石墨件在高温下能够与

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    走进石墨加工的切屑处理 - 知乎

    2020年4月26日  (1)在处理电极前在处理液中浸泡; (2)使用耐磨性好的刀具; (3)下铣加工(下刀); (4)切削时减少刀具的切入量; (5)切削刀具的切削量小于刀具直径的1/2; (6)加工两端部时进行减

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    [失效分析与可靠性] 008 二氧化硅、氮化硅与纯硅如何

    2020年6月7日  本文只介绍三种物质的湿法去除方法:二氧化硅、氮化硅,纯硅。. 二氧化硅的腐蚀. 在半导体器件中最常见的绝缘材料是SiO2 和Si3N4。. SiO2用于电路中各种需要绝缘隔离的地方,在电路外部主要用

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    多晶硅的生产工艺详解; - 知乎

    2023年10月31日  这种多晶硅制备方法经过Sintef公司改进后,生产过程如下:在离子回转炉中通过C对SiO2进行还原,得到产物SiC,再将SiC投入到电弧炉中继续和SiO2反应,可以得到液态的硅。. 实验表明,这种液态硅中杂质含量非常少,几乎只有C这一种杂质。. 为了去除液态硅中的C ...

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    多晶硅:制备、性质与应用的全面解析 - 知乎

    2023年8月22日  多晶硅 二、制备工艺与技术 多晶硅的制备工艺多种多样,涵盖气相法、溶液法和凝固法等不同方法。这些方法各具特点,在不同领域应用广泛。气相法: 气相法是制备多晶硅的一种重要方法。 它基于热化学反应,将硅源气体(如氯化硅)在高温下分解,使硅沉积在基底上。

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    SiC f /SiC表面环境障涂层的基体无损去除方法 - csejournal

    2019年2月10日  摘要: 应用于碳化硅陶瓷基复合材料 (SiC f /SiC-CMC)表面的抗水氧腐蚀环境障涂层 (EBC),在高速燃气冲刷等极端环境下长期服役后出现烧蚀、局部开裂或剥落等问题。. 为了循环再利用价格昂贵的CMC材料,亟待发展EBC修复技术,而去除原有EBC涂层是最重要和最基础的 ...

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    采用原位反应法在石墨坩埚表面制备SiC 涂层 - 豆丁网

    2016年2月5日  石墨坩埚作为造渣精炼提纯多晶硅的主要载体[15],其成本高且循环使用次数少,这是造渣精炼游小刚,等:采用原位反应法在石墨坩埚表面制备SiC涂层成本居高不下的一个主要原因。. 在造渣精炼过程中,石墨坩埚的消耗主要是因为大气条件下的高温熔炼使坩

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    从多晶硅到单晶硅棒再到晶圆的工艺流程

    2021年3月26日  首先,将多晶硅装入CZ炉内的石英坩埚中,由石墨加热器将其加热熔融得到硅熔液]。. 多晶硅原料是由圆柱状粉碎为团块(lump)状以便于熔融。. 硅的熔点大约为1420℃,因此炉内要用石墨隔热材料,炉壁要用水冷等隔热散热。. 首先将称为籽晶(seed)的短棒状或 ...

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    如何快速去除单晶硅表面的碳化硅 - 抖音

    2024年3月13日  您在查找如何快速去除单晶硅表面的碳化硅吗?抖音综合搜索帮你找到更多相关视频、图文、直播内容,支持在线观看。更有海量高清视频、相关直播、用户,满足您的在线观看需求。

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    一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备与流程 - X技术网

    2020年6月30日  步骤s202:将待清理lpcvd石英舟置入高温炉中。. 步骤s203:在预设温度下向所述高温炉中通入氯气,使所述lpcvd表面的多晶硅层与所述氯气进行反应。. 步骤s204:排出废气,得到去除所述多晶硅层的lpcvd石英舟。. 本具体实施方式与上述具体实施方式的不同

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    [求助]如何去掉石墨? - 化工 - 小木虫 - 学术 科研 互动社区

    在石墨表面长有片状镍,想把石墨除去,但是又不改变镍的晶型,石墨 是微米级球形的。请教各位有没有好办法? 小木虫 登陆 注册 首页 导读 期刊 发现 社区 招聘老师 当前位置: 首页 > 化工 > [求助]如何去掉石墨 ...

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    多晶硅的表面金属杂质引入探讨 - 百度文库

    多晶硅的表面金属杂质引入探讨. 对多晶硅表面金属杂质含量 的影 响。. 关键词 : I C P—MS ; 多晶硅; 表 面金 属杂质 中图分类号 : T B 9 9 文献标识码 : A 国家标准学科分类代码: 4 3 0 . 4 0. 能 电池 的主要 材料 。. 多晶硅 表 面存 在 的微 量杂 质大 大影 ...

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    太阳能级多晶硅中B、P杂质的危害及去除 - 百度文库

    2011年5月18日  多晶硅的纯度会直接影响到太阳电池的转换效率及电池寿命。. 多晶硅生产中的主要杂质有Fe、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、B、P、Cr、C等,其中B、P杂质是生产中很难去除的两种杂质,这两种杂质残留在多晶硅中会作为复合中心降低少数载流子寿命,影响太阳

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    如何借助等离子清洗机提高石墨表面的清洁度和亲水性?_材料 ...

    2023年10月25日  1.高效率清洗:等离子体清洗机利用等离子体产生的高能离子束,对石墨表面进行清洗,能有效地去除石墨表面的污垢和有机物质,达到高效清洗的效果。. 2.亲水性提高:等离子清洗机清洗后,可以提高石墨表面的亲水性,提高表面的附着力。. 这有助于提高石

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    如何去除石墨表面的多晶硅

    2021年1月26日  一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法与流程 2023年4月18日因此,需要对石墨舟进行清洗,以去除其表面的多晶硅层。 3.目前,石墨舟的清洗方法主要包括干法去除(如激光、等离子刻蚀等)、湿法去除(化学药液清洗法)。由

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    一种去除石墨表面氮化镓基化合物的方法_3 - X技术网

    2015年9月23日  而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围,则都应在本申 请所附权利要求的保护范围内。. 1. 一种去除石墨盘表面氮化镓基化合物的方法,所述石墨盘放置在真空高温炉内,其 特征在于,所述方法: 升高温度至500°C-900°C,使用N2分

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    多晶硅生产工艺 - 知乎

    2022年8月31日  这种多晶硅制备方法经过Sintef公司改进后,生产过程如下:在离子回转炉中通过C对SiO2进行还原,得到产物SiC,再将SiC投入到电弧炉中继续和SiO2反应,可以得到液态的硅。. 实验表明,这种液态硅中杂质含量非常少,几乎只有C这一种杂质。. 为了去除液态硅中的C ...

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    多晶硅的去除方法_百度文库

    多晶硅的去除方法-2.火烧:多晶硅可以通过高温火烧的方式去除一部分杂质和缺陷。. 在高温下,多晶硅中的杂质和缺陷会发生热分解或挥发,从而净化多晶硅的表面。. 火烧时需要控制温度和时间,避免过度烧结导致晶体结构损坏。. 3.化学氧化:多晶硅可以 ...

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    石墨材料在光伏行业中的应用

    2017年8月10日  从以上石墨的居多优良特性中可以看出, 石墨作为一种工业生产原料,有着很多独特的优点,因此石墨材料在工业生产中有着广泛的应用,尤其是在光伏行业快速发展的今天,石墨材料得到了更加普遍的应用。. 高纯石墨的生产方法. 石墨深加工产业的前提是提纯,石

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    一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法与流程 - X技术网

    2022年4月2日  5.本发明的目的在于提供一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法,以解决上述背景技术中现有技术提到的问题。. 6.为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法包括如下步骤:. 7.第一步:在喷射清洗设备内填充碳酸氢

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    一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置_百度文库

    2013年5月1日  一种去除多晶硅中金属杂质的方法,包括如下步骤:(1)将原料硅在石墨坩埚中熔化;(2)将石墨板放置于熔融硅液的表面上,石墨板与外界直流电压的负极相接,石墨坩埚与外界直流电压的正极相接,所施加的直流电压为10~100V;(3)通电2~4h后,在

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