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打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
2024年3月22日 PVA TePla亮相SEMICONChina2024. “作为PVA TePla在华打造的首款国产碳化硅晶体生长设备，‘SiCN’旨在帮助我们更好地满足本土化需求，为中国市场提供成熟
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首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有
2020年10月21日 碳化硅材料整线关键工艺设备共22种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状. 在我国进行产业升级的浪潮中，SiC材料以其独特的性能
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产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻
2022年12月15日 长晶炉基本实现国产替代. 事实上，碳化硅衬底制备的关键环节在于长晶工艺，由于碳化硅需要在高温（>2,200℃）、真空环境中生长，对温场稳定性的要求高，
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首款国产碳化硅生产设备， PVA TePla助力中国半导体发展 ...
2024年3月28日 作为全球高端半导体设备制造商，来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会，并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。 专为中国市场定
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碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
2023年9月27日 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对 高功
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打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
2024年3月22日 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展-EMC安规-电子元件技术网. 发布时间：2024-03-22 来源：投稿 责任编
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造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_中国
2023年5月21日 碳化硅器件生产各工艺环节关键设备. 由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设
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多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎
2024年2月18日 碳化硅的切磨抛既直接关系到衬底加工的效率和产品良率，又能间接降低国产厂商的生产成本，进而对碳化硅的市场推广产生积极影响。 从技术路线上来说，国内外切磨抛环节的差距不大，但在设备的精度和稳定性上，国产设备仍需持续发力，以进一步提高市
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产
2022年3月2日 2020 年 8 月 17，公司碳化硅衬底产业化基地建设项目正式开工，总投资约 9.5 亿元 人民币，总建筑面积 5.5 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配 套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生
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Ferrotec全球 - 气相沉积碳化硅产品（CVD-SiC)
碳化硅部件（CVD-SiC）. 以自行研发的CVD法生产，实现了超高纯度，高耐热性，高耐磨性的碳化硅产品. 碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。. 它们被广
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 ...
2022年3月2日 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁 带宽度是硅的 3 倍；导热率为硅的 4-5 倍；击穿电压为硅的 8-10 倍；电子饱和漂移 速率为硅的
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第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。
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A股独占鳌头的9只碳化硅龙头：半导体的核心科技 - 知乎
2021年1月12日 第六位：楚江新材 最大的铜板带材生产企业 在碳化硅单晶方面主要从事SiC单晶中的高纯C粉的研制，目前已能实现小批量生产，且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求，掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上，各项关键指标满足高性能碳化硅单晶原料生产的需要，其设备与工艺 ...
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碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
2023年3月13日 晶体制备. 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。. 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：. 温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输
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打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
2024年3月22日 PVA TePla亮相SEMICONChina2024. “作为PVA TePla在华打造的首款国产碳化硅晶体生长设备，‘SiCN’旨在帮助我们更好地满足本土化需求，为中国市场提供成熟稳定的工艺设备，进一步帮助合作伙伴提升市场竞争力。. ”德国PVA TePla集团半导体业务中国区负责人谢秀红表示 ...
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宇晶股份：目前公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现批量 ...
2023年11月3日 宇晶股份近期接受投资者调研时称，碳化硅是第三代半导体材料代表之一，碳化硅是一种高性能的磨料，具有高硬度、高强度、高耐磨性、高耐腐蚀性、高热稳定性等特点，其材料加工难度大，制作成本高。近年来，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平 ...
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半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解； - 知乎
2023年12月5日 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空 ...
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半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解； - 知乎专栏
2024年2月18日 半导体碳化硅 (SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；. 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。. 一、SiC 单晶生长设备. SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,
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碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_腾讯新闻
2023年7月14日 与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。. 碳化硅“狂飙”. 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 ...
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生产碳化硅陶瓷的设备说明_百度文库
生产碳化硅陶瓷的设备说明. 多能磨抛机由机架、变频器、电动机、磨抛盘、试样保持器和工具箱等基本部件组成。. 本机的电源开关、调速旋钮等均安装在机架前面的操作板上，操作方便。. 工作台面上除装有流水管和磨抛盘外，还装有半自动磨抛试样保持器 ...
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碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ...
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行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023 ...
2023年2月26日 衬底环节是碳化硅器件制造中最核心、最困难的环节。碳化硅衬底价格高是制约 碳化硅应用落地的主要原因。由于切片环节良率较低，切抛磨环节约占衬底总成 本的2/3，切磨抛设备是衬底加工最核心的设备，国产化率约20%。根据我们测 算，预计2025 年
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 ...
2022年3月22日 掌握了碳化硅晶 片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全 流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅 ...
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国内第三代半导体厂商（碳化硅） - 知乎
2019年2月22日 2018年11月13日，天岳碳化硅材料项目开工活动在长沙浏阳高新区举行，该项目的落实标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。. 据悉，天岳碳化硅材料项目由山东天岳晶体材料有限公司开发建设，总投资30亿元，项目分两
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德国PVA TePla发布为中国定制的首款碳化硅生产设备“SiCN”
2024年3月29日 目前，国内碳化硅衬底迈过萌芽期，进入到规模化生产中。当前衬底环节面临全面降本的实际需求，市场对于碳化硅衬底设备的稳定工艺要求更高，因为这直接影响着长晶的良率高低以及自动化规模产出的一致性。针对上述核心需求，PVA TePla介绍了SiCN的
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碳化硅外延设备_产品与技术_纳设智能官方网站 - Naso Tech
碳化硅化学气相沉积外延设备. 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。. 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主 ...
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小议碳化硅的国产化 - 知乎
2020年10月19日 设备方面：碳化硅生产的 高端设备，基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样，是非常大的短板。笔者认为，第三代半导体的国产化比第二代半导体要稍微乐观一些 ...
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